Nouvel article du SUNLAB: Crystal Growth & Design

Le candidat au doctorat Gavin Forcade est le premier auteur d'un article paru récemment dans la revue Crystal Growth & Design, fruit d'une collaboration entre le SUNLAB de l'Université d'Ottawa et le National Renewable Energy Laboratory aux États-Unis. Cette publication démontre le potentiel de la croissance épitaxiale pour faciliter la réutilisation de substrats.

L'article intitulé « Planarizing spalled GaAs(100) surfaces by MOVPE growth » traite d'une méthode permettant de lisser les surfaces rugueuses laissées par l'écaillage contrôlé, une technique utilisée pour réutiliser des substrats coûteux dans les cellules photovoltaïques III-V. Les chercheurs ont fait croître une couche d'arséniure de gallium dopée au carbone (C:GaAs) sur ces surfaces rugueuses par épitaxie en phase gazeuse organométallique. Cette méthode a permis de remplir les zones rugueuses, en utilisant jusqu'à 95 % du matériau. Ils ont amélioré les performances de lissage de la surface en optimisant l'orientation initiale de la surface du substrat et les conditions de croissance. Cette technique peut réduire considérablement les coûts de production des cellules photovoltaïques à haut rendement en permettant la réutilisation des substrats.  Ces résultats fournissent des lignes directrices pour l'amélioration de la planarisation d'autres surfaces semiconductrices.

Cliquez ici pour lire l’article (en anglais).

G. P. Forcade, M. W. E. McMahon, N. Yoo, A. N. Neumann, M. Young, J. Goldsmith, S. Collins, K. Hinzer, C. E. Packard and M. A. Steiner, Planarizing spalled GaAs(100) surfaces by MOVPE growth, Crystal Growth & Design, 1528 - 7483 (2024). DOI: 10.1021/acs.cgd.4c01152