Nouvelle publication du SUNLAB : Solar Energy Materials and Solar Cells

Est-il possible de faire croître un dispositif photovoltaïque à haut rendement sur un réflecteur arrière à large bande ? La plus récente publication du SUNLAB progresse vers cet objectif. Dans cette collaboration entre l’Université d’Ottawa et l’Université de Waterloo, on a fabriqué un dispositif thermophotovoltaïque doté d’un réflecteur arrière à large bande InAs fortement dopé n, obtenue par croissance épitaxiale, avec une réflectivité allant jusqu’à 93 %. Le premier auteur est Gavin Forcade qui a récemment obtenu son doctorat en physique.

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G. P. Forcade, M. de Lafontaine, M. Giroux, M. C. Tam, Z. Wasilewski, J. J. Krich, R. St-Gelais, K. Hinzer, Epi-grown broadband reflector for InAs-based thermophotovoltaics, Solar Energy Materials and Solar Cells, 285, 113544 (2025). DOI: 10.1016/j.solmat.2025.113544.