Nouvel article du SUNLAB : Micro and Nano Engineering

Nous sommes heureux d’annoncer que la doctorante en physique Alison Clarke a publié son premier article en tant qu’auteure principale dans la revue Micro and Nano Engineering ! Son article passe en revue les procédés de gravure plasma pour les semi-conducteurs III-V tels que l’arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d’indium (InP). La gravure plasma utilise des mécanismes physiques et chimiques pour retirer de la matière et est essentielle à la fabrication de dispositifs photoniques et optoélectroniques, notamment les cellules photovoltaïques et les circuits intégrés.

L’article compare différentes techniques de gravure plasma, explique comment les paramètres de procédé tels que la température et la pression influencent les résultats de gravure, et met en évidence les défis liés à la gravure des différents matériaux III-V. Par exemple, les composés contenant de l’azote sont difficiles à graver en raison de leurs fortes liaisons covalentes. Il fournit également des tableaux de référence détaillés et un graphique récapitulatif des vitesses de gravure des matériaux III-V pour différentes chimies plasma afin de guider les recherches futures. Ce travail constitue une ressource importante pour toute personne intéressée par le traitement avancé des semi-conducteurs.

Cliquez ici pour lire l’article (en anglais)

A. Clarke, M. Darnon, K. Hinzer, M. de Lafontaine, Review of plasma etching processes for III-V semiconductors, Micro Nano Eng. 29, 100330 (2025). DOI: 10.1016/j.mne.2025.100330